DDR内存全称是DDR SDRAM,DDR的标称和SDRAM一样采用频率。由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。
DDR 内存全称是 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,双倍速率 SDRAM)。DDR SDRAM 最早是由三星公司于 1996 年提出,由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,并得到了 AMD、VIA 与 SiS 等主要芯片组厂商的支持。它是 SDRAM 的升级版本,因此也称为「SDRAM II」。
DDR 是 21 世纪初主流内存规范,各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR 全称是 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,双倍速率 SDRAM)。DDR 的标称和 SDRAM 一样采用频率。截至 2017 年,DDR 运行频率主要有 100MHz、133MHz、166MHz 三种,由于 DDR 内存具有双倍速率传输数据的特性,因此在 DDR 内存的标识上采用了工作频率×2 的方法,也就是 DDR200、DDR266、DDR333 和 DDR400,一些内存生产厂商为了迎合发烧友的需求,还推出了更高频率的 DDR 内存。其最重要的改变是在界面数据传输上,他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理,使数据传输率达到 SDR(Single Data Rate)SDRAM 的 2 倍。至于寻址与控制信号则与 SDRAM 相同,仅在时钟上升沿传送。
工作原理
DDR SDRAM 模块部分与 SDRAM 模块相比,改为采用 184 针(pin),4~6 层印刷电路板,电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与 SDRAM 模块相同。DDR SDRAM 模块一共有 184 个接脚,且只有一个缺槽,与 SDRAM 的模块并不兼容。 DDR SDRAM 在命名原则上也与 SDRAM 不同。SDRAM 的命名是按照时钟频率来命名的,例如 PC100 与 PC133。而 DDR SDRAM 则是以数据传输量作为命名原则,例如 PC1600 以及 PC2100,单位 MB/s。所以 DDR SDRAM 中的 DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格,数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s),而 DDR266 与 PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。
DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL;CAS Latency,CL 是指内存在收到讯号后,要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好,不过这还要看内存颗粒的原始设定值,否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会(JEDEC)的定义(规格书编号为 JESD79):DDR SDRAM 一共有两种 CAS 延迟,分为 2ns 以及 2.5ns(ns 为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM 称作 DDR 266A,而较慢的 CL= 2.5 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外,较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。
它代表了内存所能稳定运行的最大频率。市场上看到的 DDR 内存有 DDR533、DDR667、DDR800 和 DDR1333 等。