内存时序是描述同步动态随机存取存储器性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期时间，就不能了解一组数字是否比另一组数字更快。

内存时序（英语：Memory timings 或 RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP 和 TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如 7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为 2T 或 1T，也写作 2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

简介

内存时序（英语：Memory timings 或 RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP 和 TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如 7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为 2T 或 1T，也写作 2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。

举例来说，DDR3-2000 内存的时钟频率是 1000 MHz，其时钟周期为 1 ns。基于这个 1 ns 的时钟，CL=7 给出的绝对延迟为 7 ns。而更快的 DDR3-2666（时钟 1333 MHz，每个周期 0.75 ns）则可能用更大的 CL=9，但产生的绝对延迟 6.75 ns 更短。

现代 DIMM 包括一个串行存在检测（SPD）ROM 芯片，其中包含为自动配置推荐的内存时序。PC 上的 BIOS 可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序）。

注意：内存带宽是测量内存的吞吐量，并通常受到传输速率而非潜伏时间的限制。通过交错访问 SDRAM 的多个内部 bank，有可能以峰值速率连续传输。可能以增加潜伏时间为代价来增加带宽。具体来说，每个新一代的 DDR 内存都有着较高的传输速率，但绝对延迟没有显著变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常有着较上一代更长的延迟。

即便增加了内存延迟，增加内存带宽也可以改善多处理器或多个执行线程的计算机系统的性能。更高的带宽也将提升没有专用显存的集成显卡的性能。
名称符号定义 CAS 潜伏时间 CL 发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的 DRAM 读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同，这不是最大值，而是内存控制器和内存之间必须达成的确切数字。行地址到列地址延迟 TRCD 打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从 DRAM 的非活动行读取第一位内存的时间是 TRCD+ CL。行预充电时间 TRP 发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的 DRAM 读取内存第一比特的时间是 TRP+ TRCD+ CL。行活动时间 TRAS 行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间，并与 TRCD 重叠。在 SDRAM 模块中，它只是 TRCD+ CL。否则，约等于 TRCD+ 2×CL。

备注

RAS：行地址选通脉冲，延续自异步 DRAM 的术语。

CAS：列地址选通脉冲，延续自异步 DRAM 的术语。

TWR：写入恢复时间。上一次对行的写入命令与预充电它之间必须经过的时间。通常，TRAS= TRCD+ TWR。

TRC：行周期时间。TRC= TRAS+ TRP。